IS61QDPB21M18A-333M3L
制造厂商:ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc. 芯成半导体)
类别封装:存储器,产品封装:165-LBGA
技术参数:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA
(专注销售ISSI电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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参数详情:
制造商产品型号:IS61QDPB21M18A-333M3L制造商:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA产品系列:存储器包装:托盘系列:-零件状态:有源存储器类型:易失存储器格式:SRAM技术:SRAM - 同步,QUADP存储容量:18Mb(1M x 18)存储器接口:并联时钟频率:333MHz写周期时间-字,页:-访问时间:8.4ns电压-供电:1.71V ~ 1.89V工作温度:0°C ~ 70°C(TA)安装类型:表面贴装型产品封装:165-LBGAIS61QDPB21M18A-333M3L的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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